result_filter
Beginn
Bewilligte Summe
Land
Zuwendungsgeber
search_results: 3 Vorhaben gefunden
sorting:

Steigerung der Stoßstromfähigkeit von IGBTs für deren neuartigen Einsatz als aktives Ableitelement in Blitzschutzmodulen. Teilvorhaben: Überspannungsschutz

Zeitraum
2016-10-01  –  2019-03-31
Bewilligte Summe
105.761,24 EUR
Ausführende Stelle
DEHN SE + Co KG, Neumarkt i.d.OPf.
Förderkennzeichen
03ET7563A

Steigerung der Stoßstromfähigkeit von IGBTs für deren neuartigen Einsatz als aktives Ableitelement in Blitzschutzmodulen. Teilvorhaben: IGBT Entwicklung

Zeitraum
2016-10-01  –  2019-03-31
Bewilligte Summe
141.122,53 EUR
Ausführende Stelle
IXYS Semiconductor GmbH, Lampertheim
Förderkennzeichen
03ET7563B

Steigerung der Stoßstromfähigkeit von IGBTs für deren neuartigen Einsatz als aktives Ableitelement in Blitzschutzmodulen. Teilvorhaben: IGBT Design und Prozessmodulentwicklung

Zeitraum
2016-10-01  –  2019-03-31
Bewilligte Summe
261.015,00 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Förderkennzeichen
03ET7563C