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Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
523.414,50 EUR
Ausführende Stelle
Technische Universität Darmstadt - Fachbereich Material- und Geowissenschaften - FG Oberflächenforschung, Darmstadt
Förderkennzeichen
03SF0358A

Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
236.503,20 EUR
Ausführende Stelle
Johannes Gutenberg-Universität Mainz - FB 08 Physik, Mathematik und Informatik - Institut für Physik, Mainz
Förderkennzeichen
03SF0358B

Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
378.857,81 EUR
Ausführende Stelle
Carl von Ossietzky Universität Oldenburg - Fakultät V - Mathematik und Naturwissenschaften - Institut für Physik - AG GRECO (Halbleiterphysik/Strahlungswandlung), Oldenburg
Förderkennzeichen
03SF0358C

Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
232.351,90 EUR
Ausführende Stelle
IBM Deutschland GmbH - Technology Center ISC EMEA, Mainz
Förderkennzeichen
03SF0358D

Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO)

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
337.300,00 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik (IST), Braunschweig
Förderkennzeichen
03SF0358E

Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)

Zeitraum
2010-05-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
336.826,91 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin
Förderkennzeichen
03SF0358F