result_filter
Beginn
Bewilligte Summe
Land
Zuwendungsgeber
search_results: 6 Vorhaben gefunden
sorting:
Thema FKZ Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: 'Charakterisierung des dynamischen Defektverhaltens in nativen GaN Bauelementen im Vergleich zu GaN/Si' 03EN4033A Infineon Technologies AG - IFAG F OP RD FO
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Entwicklung und Untersuchung von verbesserten Kristall-Züchtungsbedingungen zur Erstellung von großflächigen GaN-Wafern 03EN4033B Freiberger Compound Materials Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Aufbau- und Verbindungstechnik für vertikale GaN-Bauelemente und deren Ansteuerung 03EN4033C Siemens Aktiengesellschaft - Corporate Technology - T REE ELM SPT
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ Messtechnik für ein innovatives Monitoring des Schichtwachstums auf nativen GaN Substraten 03EN4033D AIXTRON SE
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV (HoverGaN); Teilvorhaben: Innovative Charakterisierung und Identifikation Bauelementkritischer Defekte: Hover-GaN-DefektIdent 03EN4033E Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV Teilprojekt FBH: Entwicklung von vertikalen FinFETs auf GaN Substraten 03EN4033F Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik