result_filter
Beginn
Bewilligte Summe
Land
Zuwendungsgeber
search_results: 6 Vorhaben gefunden
sorting:
Thema Bewilligte Summe Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung 523.414,50 EUR Technische Universität Darmstadt - Fachbereich Material- und Geowissenschaften - FG Oberflächenforschung
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden 378.857,81 EUR Carl von Ossietzky Universität Oldenburg - Fakultät V - Mathematik und Naturwissenschaften - Institut für Physik - AG GRECO (Halbleiterphysik/Strahlungswandlung)
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO) 337.300,00 EUR Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik (IST)
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET) 336.826,91 EUR Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen 236.503,20 EUR Johannes Gutenberg-Universität Mainz - FB 08 Physik, Mathematik und Informatik - Institut für Physik
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern 232.351,90 EUR IBM Deutschland GmbH - Technology Center ISC EMEA