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Thema FKZ Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung 03SF0358A Technische Universität Darmstadt - Fachbereich Material- und Geowissenschaften - FG Oberflächenforschung
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen 03SF0358B Johannes Gutenberg-Universität Mainz - FB 08 Physik, Mathematik und Informatik - Institut für Physik
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern 03SF0358D IBM Deutschland GmbH - Technology Center ISC EMEA
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET) 03SF0358F Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO) 03SF0358E Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik (IST)
Verbundvorhaben: P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden 03SF0358C Carl von Ossietzky Universität Oldenburg - Fakultät V - Mathematik und Naturwissenschaften - Institut für Physik - AG GRECO (Halbleiterphysik/Strahlungswandlung)