2003-01-01  –  2007-04-30

1.748.012,00 EUR

Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. (Engl.Leibniz Institute of Photonic Technology), Jena, Thüringen

0329613C

Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]

01022982/1  –  Multikristalline LLC-Si-Dünnschichtsolarzelle

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Es wurde das LLC-Verfahren zur Herstellung von mc-Si-Dünnschichtsolarzellen weiterentwickelt und alle Prozessschritte auf ihre großtechnische Umsetzbarkeit geprüft. Außerdem wurden die Zellen gemeinsam mit dem Verbundpartner ErSol optimiert. Bei dem LLC-Verfahren wird dotiertes a-Si auf Niedertemperaturglas aufgebracht und während der Beschichtung durch Laser kristallisiert. Das Resultat sind Si-Schichten mit Kristalliten > 100 µm. 2,5 µm dicke LLC-Zellen erreichen ohne light trapping ein Voc von 514 mV und ein Isc von 20 mA/cm2. Die Technologie aus a-Si-Elektronenstrahlbedampfung und Laserkristallisation ist großtechnisch umsetzbar und lässt Taktzeiten von 3 min/Modul zu. Der potentielle Wirkungsgrad der Zellen liegt deutlich über 10 %. Die abgeschätzten Modulkosten liegen bei < 1Euro/Wp.