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Elektrolytische Abscheidung dünner Gallium-Arsenidschichten für die Anwendung in der Photovoltaik - Verfahrensnachweis

Zeitraum
1990-11-01  –  1997-03-31
Bewilligte Summe
1.657.517,78 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0329064A/5
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Sonstige Materialien/Technologien [EB1028]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
 
Das Ziel des Projektes war es, großflächige Halbleiterschichten aus Galliumarsenid elektrochemisch abscheiden zu können. Es musste überprüft werden, ob diese mit einem solchen elektrochemischen Verfahren günstiger zur Weiterverarbeitung in Solarzellen zur Verfügung gestellt werden können, als mit herkömmlichen Verfahren. Zudem sollte untersucht werden, ob sich bei geeigneter Ausbildung von Schichten diese auch technisch in Photovoltaikmodulen verwendet werden können. Bei Erfolg sollten die Kosten für die Herstellung mit anderen Methoden verglichen werden.
Das Vorhaben war in mehrere Schwerpunkte unterteilt. Diese waren die Bestimmung des Elektrodenmaterials, die Synthese eines allen Anforderungen entsprechenden Elektrolyten, ein optimierter Versuchsaufbau, Einflussgrößen für die Schichtbildung, Prozessoptimierung für die Abscheidung in Verbindung mit entsprechender Schichtanalyse und einer gegebenenfalls erforderlichen Schichtbehandlung. Zudem waren die Möglichkeiten der technischen Weiterentwicklung ein wichtiger Punkt.
Das Elektrodenmaterial, Trägermaterial, die chemische Zusammensetzung für den bestmöglichen Ansatz von Elektrolyten und die Abscheidungsparameter konnten festgelegt werden. Es war aber nur möglich, sehr dünne Schichten abzuscheiden, die zwar Galliumarsenid enthielten, aber auch Verunreinigungen an Sauerstoff und Kohlenstoff, die sich nicht zurückdrängen ließen.
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