Untersuchungen zur Optimierung von Materialien und Grenzflächen für die Dünnschicht-Photovoltaik
Zeitraum
1989-03-01 – 1994-05-31
Bewilligte Summe
2.740.742,80 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0328962A/2
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Zielsetzung des Projektes war die Charakterisierung und Optimierung von Materialien und Grenzflächen, welche für die Dünnschicht-Photovoltaik relevant sind. Die Schwerpunkte des Projektes lagen auf der Herstellung und Optimierung von amorphen Halbleitern mit unterschiedlichen Bandlücken, dem Studium von Heterogrenzflächen (zum Beispiel in Tandem-Solarzellen) und der Entwicklung von elektronischen Messmethoden zur Charakterisierung von Grenzflächenzuständen in Heterostrukturen.
Im Projektverlauf wurde eine Mehrkammer-Depositionsanlage zur Herstellung von amorphen Halbleitern und Heterostrukturen entwickelt und gebaut. Es wurden Messapparaturen installiert und Untersuchungen von Oberflächenzuständen in amorphem Silizium und Germanium sowie deren Abhängigkeit von einer Oberflächenbehandlung untersucht. Des weiteren wurden Mess- und Auswerteprogramme zur Charakterisierung des elektronischen Transports über Grenzflächen entwickelt und getestet sowie Messungen an Heterostrukturen (zum Beispiel Photoemission, spinabhängiger Transport, Admittanz- und Rauschspektroskopie) durchgeführt.
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