Verbundprojekt: Kontrollierte Dotierung im CulnS2-System (KD-CIS), Teilprojekt: Leistungssteigerung von CIS-Dünnschicht Solarzellen und Modulen durch kontrollierte prozessabhängige Eigen- sowie durch Fremdstoffe bedingte Defektbildung und Dotierung im Kupfer-Indium-Sulfid System
Zeitraum
2007-01-01 – 2009-12-31
Bewilligte Summe
839.202,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0327589A
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Chalkopyrite [EB1022]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Die Zielsetzung dieses Projektes war es, durch die Steigerung der Effizienz von auf dem Halbleiter CuInS2 basierenden Solarmodulen, diese wettbewerbsfähiger zu machen. Hierbei wurden CIS-Module der Größe 125 cm x 65 cm mit einer Modulleistung von bis zu 75W angestrebt. Im Ergebnis konnte die mittlere Modulleistung von CIS-Modulen aus der Pilotproduktion innerhalb der Projektlaufzeit von ca. 53 W auf über 60W gesteigert werden. Dies gelang trotz der parallel durchgeführten Steigerung der Produktionsmenge von wenigen 100 KW/Jahr in 2006 auf bis zu 2.5 MW/Jahr in 2009 sowie einem Anstieg des Verhältnisses aus eingehenden Glasrohlingen zu ausgehenden, verkauften PV-Modulen von unter 50% in 2006 auf > 80% in 2009. Die parallel erfolgte Arbeit zur Optimierung der Zelleffizienz von CIS durch die Zugabe von Fremdelementen im Absorberherstellungsprozess konnte nach bereits einem Jahr positiv abgeschlossen werden. Der größte Effekt hier wurde durch Zugabe von Gallium in den CIS-Herstellungsprozess erreicht und es konnte eine Leistungszunahme der CIGS-Technologie gegenüber der CIS-Technologie nachgewiesen werden.
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