GaNPV - Einsatz von monolithischen GaN-Halbleitern in PV- Wechselrichtern zur Verbesserung von Lebensdauer und Effizienz
Zeitraum
2012-10-01 – 2015-09-30
Bewilligte Summe
1.997.809,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325529
Leistungsplansystematik
Systemtechnik Netzkopplung [EB1051]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Projektes ist es, ein Konzept für Photovoltaik(PV)-Wechselrichter mit gesteigerter Lebensdauer und Effizienz zu entwickeln. Dies soll durch den Einsatz spezieller Halbleiterbauelemente aus Galliumnitrid (GaN) erreicht werden, die als monolithisch integrierte Halbbrücken mit integrierten Freilaufdioden aufgebaut werden. Der Wechselrichter wird sich in erster Linie durch eine sehr hohe Schaltfrequenz bei gleichzeitig hoher Effizienz auszeichnen. Kurzlebige Komponenten werden durch langlebige ersetzt, um die Lebensdauer des Wechselrichters zu steigern. Zudem werden Konzepte zur hochfrequenten Regelung der neuen Schaltung erarbeitet, um sie an die hohe Taktfrequenz der Leistungselektronik anzupassen.
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