Hochdurchsatz Silicium-basierte Schichten und Silicium-Epitaxie für die Photovoltaik (HighVolEpi)
Zeitraum
2012-07-01 – 2016-06-30
Bewilligte Summe
3.285.096,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325487
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Im Projekt sollen Silizium(Si)- und Siliziumcarbid(SiC)-Schichten für kristalline Silizium-Dünnschichtsolarzellen auf einer am ISE konstruierten und aufgebauten Hochdurchsatz-Chemical-Vapor-Deposition(CVD)-Anlage (ProConCVD) entwickelt werden. Zunächst werden die verschiedenen Prozesse auf Referenzsubstraten entwickelt und im Projektverlauf auf Originalsubstrate übertragen. Dabei werden auch die Modellanlagen Rapid Thermal CVD (RTCVD) und Continuous CVD (ConCVD) eingesetzt, um Schichtoptimierung und Fehleranalyse kostensparender zu betreiben, als es mit der ProConCVD-Anlage möglich ist. Parallel zu der Schichtentwicklung sollen in geringerem Umfang die Abscheideanlagen aufgabenspezifisch optimiert werden. Im bisherigen Projektverlauf konnten erste defektarme Epitaxieschichten auf Referenzsubstraten im Hochdurchsatz hergestellt sowie die Abscheidehomogenität auf über 80 Prozent gesteigert werden.
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