back_to_list
details_view: 3 von 8
 

Verbundvorhaben: Großflächige Laseroberflächenbehandlung für effiziente Silizium-Dünnschichtsolarzellen - Globe-Si; Teilprojekt: Schichtmodifikation und Einfluss rauer Substrate und Nanostrukturen

Zeitraum
2012-06-01  –  2015-12-31
Bewilligte Summe
921.207,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin, Berlin
Förderkennzeichen
0325446A
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Verbundvorhaben
01128565/1  –  Globe-Si
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Ziel des Projekts ist es, die Laserbehandlung von Komponenten der Silizium(Si)-Dünnschichtsolarzelle beziehungsweise eines neuen Dünnschichtsolarzellenkonzeptes zeitnah nach Projektende in bestehende Fabrikationsprozesse zu integrieren. Parallel dazu soll die längerfristige Entwicklung neuer Si-Dünnschichtsolarzellen erfolgen. Das Projekt gliedert sich in aufeinander aufbauende Bereiche: a) die Laserbehandlung zur Modifizierung funktionaler Schichten und Saatschichten für poly-Si-Dünnschichtsolarzellen nebst Entwicklung entsprechender Lasertools, b) Implementierung der laserbehandelten Schichten in konventionelle Si-Dünnschichtsolarzellen und Realisierung neuartiger Zellkonzepte auf Basis der lasermodifizierten Schichten und c) die Herstellung von Funktions- und Saatschichten für poly-Si-Solarzellen.
Weitere Informationen
→ Technische Informationsbibliothek Hannover: Abschlussbericht