Optimierung und Transfer der Elektronenstrahl-Rekristallisationstechnologie für kristalline Dickschicht-Silizium-Solarzellen mit a-Si-Emitter auf Float-Glas
Zeitraum
2010-06-01 – 2012-07-31
Bewilligte Summe
505.570,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325200
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Projektes ist es, die an der Technischen Universität Hamburg-Harburg (TUHH) entwickelte Elektronenstrahl-Kristallisationstechnologie an das Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB) zu transferieren. Im Zuge des Transfers wird auch die an der TUHH genutzte Infrastruktur zur Herstellung kristalliner Siliciumabsorber auf Glassubstraten hoher elektronischer und kristallographischer Qualität mit der am HZB verwendeten Technologie zur Herstellung von amorph / kristallinen Silicium-(a-Si:H/c-Si-)Hetero-Solarzellen zusammengeführt. Der beabsichtigte Austausch des bisher an der TUHH eingesetzten LPCVD(Low Pressure Chemical Vapour-Deposition)-Prozesses zur Abscheidung der Siliciumschichten durch einen hochraten Elektronenstrahl-Aufdampfprozess ermöglicht zudem eine zeit- und ressourceneffiziente Herstellung der realisierten Zellstruktur.
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