EpiEm - Epitaktische Emitter für mono- und multikristalline Silicium Hocheffizienz-Solarzellen
Zeitraum
2010-08-01 – 2013-07-31
Bewilligte Summe
1.056.300,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325199A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Bei der industriellen Fertigung von Solarzellenkonzepten mit Wirkungsgraden von über 20 Prozent stößt die Diffusion in Bezug auf Prozesszeit und -kosten an ihre Grenzen. Ziel des Projektes war es, Hocheffizenz-Emitter mithilfe der Homoepitaxie von Silicium zu realisieren. Sie ermöglicht es, Dicke und Dotierung einer Schicht nahezu unabhängig voneinander einzustellen – bei circa zehnfach kürzerer Prozesszeit. Im Rahmen des Projektes wurden n-Typ-Emitter sowie p-Typ-Emitter entwickelt. Wir konnten epitaktische p- und n-Typ-Emitter mit Emittersättigungsströmen von unter 50 femto Ampere pro Quadratzentimeter herstellen und daraus Solarzellen bis 20 Prozent Wirkungsgrad prozessieren. In Verbindung mit optimierten Galvanik-basierten Metallisierungsverfahren der Firma Rena konnten außerdem Hocheffizienz-Solarzellen-Konzepte realisiert werden.
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