Verbundprojekt: Einsatz von kontinuierlichen VHF-Plasma-CVD (Linienquelle) zur Deposition von a-Si:H/µc-Si:H-Solarzellen. Teilvorhaben 'Technische Anpassung des VHF-Plasma-CVD-Gerätes an Dünnschicht-Si-Solarzellen-Prozesse'
Zeitraum
2008-09-01 – 2011-09-30
Bewilligte Summe
243.930,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325024B
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Verbundvorhaben
01062334/1 – Einsatz von kontinuierlicher VHF-Plasma-CVD mittels Linearquellen zur Deposition von aSi:H/µSi:H Solarzellen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Projekt befasst sich mit der Deposition von Dünnschicht-Silizium Solarzellen mit einer neuartigen Depositionsmethode, der kontinuierlichen (dynamischen) Beschichtung mit Hilfe einer Very High Frequency Linienquelle. Dieses Verfahren, bei dem das zu beschichtende Substrat an einer oder mehreren Plasmaquellen vorbeifährt, ist ein vielversprechendes Konzept. Es ermöglicht die Aufskalierung der VHF Deposition auf quadratmetergroße Flächen. Eine kontinuierliche Beschichtung könnte zu einer deutlichen Produktivitätssteigerung und Kostenreduzierung der Dünnschicht-Si-Solarzellen führen. In Zusammenarbeit mit VAAT (Dresden) werden die Quellen und der Reaktionsraum so konstruiert, dass hohe Schichtqualitäten und eine hohe Produktivität erreicht werden.
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