Verbundvorhaben: LASSIE - Laserbasiertes Eintreiben von Dotanden in Si aus as-deposited Silikatgläsern zur Erzeugung von rekombinationsarmen selektiv hochdotierten Bereichen, Teilvorhaben: Entwicklung von Laserdotierprozessen für den Einsatz in der Massenfertigung von PERL-Solarzellenprozessen
Zeitraum
2017-03-01 – 2020-02-29
Bewilligte Summe
896.968,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324143B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01176014/1 – Laserbasiertes Eintreiben von Dotanden in Si aus as-deposited Silikatgläsern zur Erzeugung von rekombinationsarmen selektiv hochdotierten Bereichen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Laserdotieren eröffnet die Möglichkeit, einen selektiv hochdotierten Bereich im Silizium zu erzeugen und gleichzeitig z. B. CVD(chemical vapor deposition)-Silikatglasdotierquellen auch als Passivierschicht zu nutzen. Wird der Dotand für den Bereich zwischen den hochdotierten Bereichen nicht zur besseren Kontaktierung benötigt, können in diesem Bereich sehr flache und gering dotierte Profile erzeugt werden. Somit kann zum einen die Temperatur des Eintreibeschritts im Ofen verringert werden, so dass die Si-Materialqualität weniger beansprucht wird und zum anderen die Rekombination in den höher dotierten Bereichen und an der Oberfläche gesenkt werden. Die Verwendung von CVD-Silikatgläsern als Dotierquelle ermöglicht es nun, dass der Laser-DriveIn für die selektive Hochdotierung bereits vor dem Hochtemperaturschritt zur Erzeugung der schwächeren Dotierung zwischen den hochdotierten Bereich realisiert wird.
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