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Verbundvorhaben: DETEKTIV - Detaillierte Defektanalyse von EpiWafern zur Verbesserung ihrer kristallographischen und elektronischen Qualität; Teilvorhaben: Herstellung defektarmer Referenz-EpiWafer und höchsteffizienter Solarzellen

Zeitraum
2021-05-01  –  2024-08-31
Bewilligte Summe
2.569.098,41 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1117C
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01232565/1  –  DETEKTIV - Detaillierte Defektanalyse von EpiWafern zur Verbesserung ihrer kristallographischen und elektronischen Qualität
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Die Silicium EpiWafer-Technologie hat ein Kostensenkungspotential von über 50% verglichen mit herkömmlichen einkristallinen Siliciumwafern. Im Unterschied zu herkömmlichen Czochralski-Wafern, wie sie in der Solarindustrie Verwendung finden, bilden sich in epitaktisch gewachsenen Wafern andersartige Kristalldefekte aus. Diese Kristalldefekte sind eine Hauptlimitierung der heutigen EpiWafer Qualität. Ziel des Projekts DETEKTIV ist es, die Hauptursachen für Kristalldefekte in epitaktisch erzeugten Wafern zu identifizieren und die Prozesse und Anlagen dahingehend zu optimieren, die Defekte komplett auszuschließen oder auf unschädliche Niveaus zu reduzieren. Das vorliegende Teilprojekt DETEKTIV hat die Herstellung und Charakterisierung von Referenz EpiWafern höchster Qualität zum Ziel. Es sollen Wachstumsraten im Bereich von 1 µm/min und strukturelle Defektdichten < 100 cm² erreicht werden. Die EpiWafer, die aus dem optimierten Prozess stammen, werden einen Solarzellenprozess für höchste Effizienz (> 24%) durchlaufen.