Verbundvorhaben: LaGaN- Leistungselektronik und anwendungsnaher Betrieb von energieeffizienten Galliumnitrid Leistungshalbleitern in der fahrzeugnahen Energiewandlungskette; Teilvorhaben: Niederinduktives und kompaktes Leistungsmodul mit GaN-Halbleitern
Zeitraum
2024-06-01 – 2027-05-31
Bewilligte Summe
268.308,56 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03ETE049D
Leistungsplansystematik
Stromspeicher - Verschiedenes [EA2389]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN5)
Förderprogramm
Energie
Leitziel des Vorhabens (Kennwort: LaGaN) ist es, den Einsatz von dem neuen Halbleiter Galliumnitrid in einer neuen Generation elektrischer Antriebseinheiten für Elektrofahrzeuge zu untersuchen, welche die Vorteile des Halbleiters Galliumnitrid gewinnbringend für die Bauraum- und Effizienzanforderungen ausnutzt. Gleichzeitig soll bei hohem Integrationsgrad der Elektronik ein fertigungsgerechter Aufbau zur Darstellung wettbewerbsfähiger Kostenziele erreicht werden. Hierzu sollen die erforderlichen System- und Aufbautechnologien so erforscht werden, dass eine Fertigbarkeit in Großserie möglich ist. Diese Technologien sind heute für Automotive-Anwendungen im Bereich Galliumnitrid Halbleiter so nicht verfügbar. Danfoss Silicon Power wird zusammen mit FH Kiel ein Moduldemonstrator entwickeln und mit einem Referenzmodul vergleichen. Es werden darüber hinaus elektrische und thermische Analysen durchgeführt. Das Projektziel ist zu beweisen, dass sich GaN Halbleiter prinzipiell für den Einsatz im Leistungsmodul eignen.