Verbundvorhaben: LaGaN- Leistungselektronik und anwendungsnaher Betrieb von energieeffizienten Galliumnitrid Leistungshalbleitern in der fahrzeugnahen Energiewandlungskette; Teilvorhaben: Montageansätze für vertikale GaN-Dies
Zeitraum
2024-06-01 – 2027-05-31
Bewilligte Summe
147.260,40 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03ETE049B
Leistungsplansystematik
Stromspeicher - Verschiedenes [EA2389]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN5)
Förderprogramm
Energie
Leitziel des Vorhabens (Kennwort: LaGaN) ist es, den Einsatz von dem neuen Halbleiter Galliumnitrid in einer neuen Generation elektrischer Antriebseinheiten für Elektrofahrzeuge zu untersuchen, welche die Vorteile des Halbleiters Galliumnitrid gewinnbringend für die Bauraum- und Effizienzanforderungen ausnutzt. Gleichzeitig soll bei hohem Integrationsgrad der Elektronik ein fertigungsgerechter Aufbau zur Darstellung wettbewerbsfähiger Kostenziele erreicht werden. Hierzu sollen die erforderlichen System- und Aufbautechnologien so erforscht werden, dass eine Fertigbarkeit in Großserie möglich ist. Diese Technologien sind heute für Automotive-Anwendungen im Bereich Galliumnitrid Halbleiter so nicht verfügbar. Die betrachtete Antriebseinheit besteht aus einer permanenterregten elektrischen Antriebsmaschine mit einem in das Lagerschild integrierten Wechselrichter auf Basis von Galliumnitrid-Halbleitern. Das aktive, wassergekühlte Lagerschild nimmt dabei die Leistungselektronik auf. Mit der Integration in das Lagerschild des Motors werden die Systemkosten und das Gewicht der Antriebseinheit wesentlich verringert. Solch ein System wurde bereits in einem kurz vor dem Abschluss stehenden BMBF gefördertem Forschungsprojekt (LaSiC) auf Basis von Siliziumcarbid Leistungshalbleitern dargestellt.