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Verbundvorhaben: TOPCon_Cluster - Technologiecluster für die industrielle Fertigung von Solarzellen mit Tunneloxid-passivierenden Kontakten; Teilvorhaben: APCVD-Abscheidung von TOPCon-Schichten

Zeitraum
2020-06-01  –  2023-11-30
Bewilligte Summe
393.751,00 EUR
Ausführende Stelle
Gebr. Schmid GmbH, Freudenstadt, Baden-Württemberg
Förderkennzeichen
03EE1065B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01214934/1  –  TopCon_cluster - Technologiecluster für die industrielle Fertigung von Solarzellen mit Tunneloxid-passivierenden Kontakten
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
In diesem Teilvorhaben sollen drei Basisprozesse zur TOPCon (Tunnel Oxide Passivating Contact) Zellarchitektur entwickelt werden. Erstens ein Inline-Prozess zur Reinigung des Wafers und anschließendem Wachsen eines nasschemisches Tunneloxides zur Passivierung der Zellrückseite und als Ladungsträger-selektive Schicht. Zweitens soll ein bereits bestehender experimenteller APCVD (atmospheric pressure chemical vapour deposition) aSi/polySi (amorphes/polykristallines Silizium) Abscheideprozess weiterentwickelt werden, um eine in-situ dotierte polySi-Schicht für den passivierten Kontakt bereitzustellen. Drittens soll ein einseitiger alkalischer Ätzprozess entwickelt werden, der den bei der APCVD Abscheidung entstehenden Umgriff entfernt, ohne den Emitter der Zellvorderseite zu beschädigen.
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