Verbundvorhaben: FUN - Gesputterte und in anderer Weise abgeschiedene a-Si-Schichten zur Herstellung von passivierten, siebgedruckten Kontakten für eine industrielle Produktion, Teilvorhaben: Elektronenstrahlverdampftes und laserkristallisiertes Silizium für passivierte Siebdruck-Kontakte
Zeitraum
2019-09-01 – 2022-08-31
Bewilligte Summe
207.200,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1022C
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01187780/1 – FUN - Sputtered and otherwise deposited a-Si for Fabricating passivated screen-printed contacts for an indUstrially feasible productioN
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Vorhaben wird im Rahmen des 6. Calls des SOLAR-ERA.NET durchgeführt. Das Ziel des Teilprojektes besteht in der Herstellung von dünnen amorphen bzw. nc- Silizium-Schichten auf oxidierten EpiWafern mittels Elektronenstrahlverdampfung, die sich nach einem konventionellen Temper-Kristallisationsschritt beim Partner Uni Konstanz bzw. insbesondere nach einem flächigen oder lokalen Laserkristallisationsprozess am Leibniz-IPHT als Emitter und zum Aufbringen und zur Passivierung von Siebdruck-Kontakten eignen. Gleichzeitig sollen die Schichten zum Gettern von Verunreinigungen aus dem Wafer dienen, eine hohe Leitfähigkeit und geringe parasitäre Absorption, d.h. hohe Transparenz zeigen und damit hohe Effizienzen bei kostengünstigen EpiWafer-Solarzellen ermöglichen. Teilprojektziel ist die optimale Kristallstruktur für die angestrebten Schichteigenschaften, die sich durch Wahl der Beschichtungs- und Laserparameter beeinflussen lässt. Ein wichtiges Kriterium ist dabei die Vermeidung der Bildung von Defekten im Bereich der Oxidschicht und im Wafer.
Weitere Informationen