Verbundvorhaben: FUN - Gesputterte und in anderer Weise abgeschiedene a-Si-Schichten zur Herstellung von passivierten, siebgedruckten Kontakten für eine industrielle Produktion, Teilvorhaben: Fortschrittliche industrielle PV Technologie
Zeitraum
2019-09-01 – 2022-08-31
Bewilligte Summe
132.769,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1022B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01187780/1 – FUN - Sputtered and otherwise deposited a-Si for Fabricating passivated screen-printed contacts for an indUstrially feasible productioN
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Vorhaben wird im Rahmen des 6. Calls des SOLAR-ERA.NET durchgeführt und befasst sich mit der Kombination von epitaktisch gewachsenen Wafern (EpiWafern), die ein enormes Kostenreduktionspotential haben verglichen mit monokristallinan Standard-Silizium-Wafern, mit dem Ansatz der passivierten Kontakte, die mittels Siebdruckpaste metallisiert werden. Der ASt NexWafe soll sich im Rahmen des Teilvorhabens mit der Verbesserung der EpiWafer-Eigenschaften insbesondere der Volumenlebensdauer im Hinblick auf die oben genannte Anwendung beschäftigen. Hierfür soll der ASt neuartige Getterverfahren, die in den EpiWafer-Prozess nahtlos integriert werden können untersuchen. Zudem soll der ASt EpiWafer für Getterexperimente bei den anderen Partnern zur Verfügung stellen. Mit dem Feedback aus der Charakterisierung beabsichtigt der ASt den EpiWafer-Herstellungsprozess entsprechend zu optimieren.
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