2019-07-01  –  2022-12-31

167.965,04 EUR

RCT Solutions GmbH, Konstanz, Baden-Württemberg

03EE1013C

Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]

01187594/1  –  WaGner - Silizium Mono-Wafer für Zellkonzepte der nächsten Generation

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Das Verbundvorhaben stellt eine Vorstudie dar, in welcher evaluiert werden soll, welche Vorteile und Einsatzmöglichkeiten Ga-dotierte, dünne Wafer für die Photovoltaikindustrie beinhalten. Erkenntnisse bezüglich des Einflusses von Gallium auf die Defektbildung oder die Bildung von Komplexen und Präzipitaten sollen erarbeitet werden, speziell für die übliche Degradationsbedingungen für LID und LeTID, mit dem Ziel, zu Projektende eine klare Aussage treffen zu können, welche konkreten Vorteile Ga-dotierte Wafer aufweisen und was bei der Fertigung berücksichtigt werden muss. Wichtig ist die Marktanalyse, um die Akzeptanz für derartige Wafer einordnen zu können und bei positiver Resonanz die nächste Stufe der Fertigung und Vermarktung angehen zu können. Der Fokus liegt im Bereich Material- und Prozessentwicklung für die Ingotherstellung und die Waferproduktion, Produktivitätserhöhung im Wafering und Qualifizierung/Validierung der Wafer für Hocheffizienzprozesse. 1. Gallium dotiertes p-Typ Material – Eliminierung von LID (Light Induced Degradation) und Erhöhung der Lebensdauer durch Vermeidung des Bor-Sauerstoffkomplexes / Untersuchung der Defektstruktur in Gallium-dotierten Ingots 2. Strukturierter Draht: Kombination mit diamant-basierter Slurry – Erhöhung des Durchsatzes / Nutzung von numerischen Simulationen zur Optimierung der Drahtstruktur 3. Qualifizierung und Validierung der Wafer für Hocheffizienzprozesse – Nachweis der Produktionstauglichkeit dünner, Gallium-dotierter Wafer für die Zellherstellung Das Teilvorhaben der RCT untersucht die Degradation bzgl. LID und LeTID/HID, sowohl auf Wafern als auch unterschiedlichen Solarzellen (PERC, passivierte Kontakte).