Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV (HoverGaN); Teilvorhaben: Innovative Charakterisierung und Identifikation Bauelementkritischer Defekte: Hover-GaN-DefektIdent
Zeitraum
2022-06-01 – 2025-05-31
Bewilligte Summe
873.602,77 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EN4033E
Leistungsplansystematik
Energiesparende Industrieverfahren - Elektrotechnik [EA3253]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN4)
Förderprogramm
Energie
Ziel des vorgeschlagenen Projektes ist es, das volle Potenzial des Halbleitermaterials GaN für Leistungsanwendungen nutzbar zu machen durch die Erforschung zukunftsweisender vertikaler Transistor-Architekturen um, leistungsfähige Transistoren mit niedrigen statischen und dynamischen Verlusten und hoher Spannungsfestigkeit auf GaN Substraten zu demonstrieren